Vishay N-Channel MOSFET, 4.3 A, 100 V, 3-Pin IPAK IRLU110PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Latime
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
6.22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,10
€ 1,62 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,80
€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 8,10
€ 1,62 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 9,80
€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,62 | € 8,10 |
| 50 - 120 | € 1,28 | € 6,40 |
| 125 - 245 | € 1,19 | € 5,95 |
| 250 - 495 | € 1,02 | € 5,10 |
| 500+ | € 0,94 | € 4,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Latime
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
6.22mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse