Vishay N-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRLD024PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
HVMDIP
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 5 V
Latime
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
3.37mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1,25
€ 1,25 Buc. (fara TVA)
€ 1,51
€ 1,51 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 1,25
€ 1,25 Buc. (fara TVA)
€ 1,51
€ 1,51 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,25 |
| 10 - 49 | € 1,05 |
| 50 - 99 | € 0,97 |
| 100 - 249 | € 0,92 |
| 250+ | € 0,86 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
HVMDIP
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 5 V
Latime
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
3.37mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse