N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRL620SPBF

Nr. stoc RS: 609-4203Producator: VishayCod de producator: IRL620SPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.2 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.67mm

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

4.83mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET IRL620S 5A 200V
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRL620SPBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRL620SPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET IRL620S 5A 200V
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.2 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 5 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.67mm

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

4.83mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET IRL620S 5A 200V
P.O.A.Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)