Vishay N-Channel MOSFET, 15 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRL530PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 5 V
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.41mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,05
€ 2,01 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,16
€ 2,432 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 10,05
€ 2,01 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 12,16
€ 2,432 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,01 | € 10,05 |
| 50 - 120 | € 1,81 | € 9,05 |
| 125 - 245 | € 1,58 | € 7,90 |
| 250 - 495 | € 1,47 | € 7,35 |
| 500+ | € 1,35 | € 6,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 5 V
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.41mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
9.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse