Vishay P-Channel MOSFET, 3.6 A, 200 V, 3-Pin DPAK IRFR9220TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Latime
6.22mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 67,50
€ 1,35 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 80,32
€ 1,606 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 67,50
€ 1,35 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 80,32
€ 1,606 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,35 | € 6,75 |
| 125 - 245 | € 1,21 | € 6,05 |
| 250 - 495 | € 1,12 | € 5,60 |
| 500+ | € 1,05 | € 5,25 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
42 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Latime
6.22mm
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse