Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 50 V, 3-Pin DPAK IRFR9020TRPBF

Nr. stoc RS: 812-0641PProducator: VishayCod de producator: IRFR9020TRPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.4 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 133,00

€ 1,33 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 160,93

€ 1,609 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 50 V, 3-Pin DPAK IRFR9020TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 133,00

€ 1,33 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 160,93

€ 1,609 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 50 V, 3-Pin DPAK IRFR9020TRPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Rola
100 - 240€ 1,33€ 13,30
250 - 490€ 1,26€ 12,60
500 - 990€ 1,11€ 11,10
1000+€ 1,03€ 10,30

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Maximum Drain Source Voltage

50 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.4 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

Malaysia

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe