Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 400 V, 3-Pin DPAK IRFR320TRPBF

Nr. stoc RS: 812-0626Producator: VishayCod de producator: IRFR320TRPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

2.38mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 7,40

€ 0,74 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,95

€ 0,895 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 400 V, 3-Pin DPAK IRFR320TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 7,40

€ 0,74 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,95

€ 0,895 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 400 V, 3-Pin DPAK IRFR320TRPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,74€ 7,40
100 - 240€ 0,69€ 6,90
250 - 490€ 0,65€ 6,50
500 - 990€ 0,57€ 5,70
1000+€ 0,53€ 5,30

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

2.38mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe