Vishay N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRFR014TRPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Inaltime
2.38mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 83,00
€ 0,83 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 100,43
€ 1,004 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 83,00
€ 0,83 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 100,43
€ 1,004 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,83 | € 8,30 |
| 250 - 490 | € 0,74 | € 7,40 |
| 500 - 990 | € 0,69 | € 6,90 |
| 1000+ | € 0,64 | € 6,40 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.7 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Inaltime
2.38mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse