Vishay N-Channel MOSFET, 7.8 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE50PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.8 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
200 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,05
€ 3,05 Buc. (fara TVA)
€ 3,69
€ 3,69 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 3,05
€ 3,05 Buc. (fara TVA)
€ 3,69
€ 3,69 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,05 |
| 10 - 24 | € 2,60 |
| 25 - 49 | € 2,39 |
| 50 - 99 | € 2,22 |
| 100+ | € 1,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.8 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Tip pachet
TO-247AC
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
200 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse