Vishay N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP250PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 63,00
€ 2,52 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 74,97
€ 2,999 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 63,00
€ 2,52 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 74,97
€ 2,999 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,52 | € 63,00 |
| 50 - 100 | € 2,44 | € 61,00 |
| 125+ | € 2,30 | € 57,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
20.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse