Vishay N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-247AC IRFP250PBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
20.7mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 26,90
€ 2,69 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 32,01
€ 3,201 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
€ 26,90
€ 2,69 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)
€ 32,01
€ 3,201 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Tub)
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,69 | € 13,45 |
| 25 - 45 | € 2,35 | € 11,75 |
| 50 - 120 | € 2,17 | € 10,85 |
| 125+ | € 1,99 | € 9,95 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
20.7mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse