Vishay N-Channel MOSFET, 1.5 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 IRFL110TRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.7mm
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.8mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.425,00
€ 0,57 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.695,75
€ 0,678 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.425,00
€ 0,57 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 1.695,75
€ 0,678 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.7mm
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.8mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse