Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 500 V TO-220FP IRFI830GPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
3.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
500V
Tip pachet
TO-220FP
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.5Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
38nC
Maximum Power Dissipation Pd
35W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Standards/Approvals
RoHS
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 74,50
€ 1,49 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 90,14
€ 1,803 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 74,50
€ 1,49 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 90,14
€ 1,803 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,49 | € 74,50 |
| 100 - 200 | € 1,40 | € 70,00 |
| 250+ | € 1,32 | € 66,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
3.1A
Maximum Drain Source Voltage Vds
500V
Tip pachet
TO-220FP
Maximum Drain Source Resistance Rds
1.5Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
38nC
Maximum Power Dissipation Pd
35W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Standards/Approvals
RoHS
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse