Vishay N-Channel MOSFET, 2.1 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP IRFI820GPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.8mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 25,00
€ 0,50 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 29,75
€ 0,595 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 25,00
€ 0,50 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 29,75
€ 0,595 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.8mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse