Vishay N-Channel MOSFET, 4 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI620GPBF

Nr. stoc RS: 813-0708Producator: VishayCod de producator: IRFI620GPBFNr. articol Distrelec: 30191574
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

TO-220FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

€ 9,80

€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 11,86

€ 2,372 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 4 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI620GPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 9,80

€ 1,96 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 11,86

€ 2,372 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 4 A, 200 V, 3-Pin TO-220FP IRFI620GPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 1,96€ 9,80
50 - 120€ 1,64€ 8,20
125 - 245€ 1,53€ 7,65
250 - 495€ 1,42€ 7,10
500+€ 1,22€ 6,10

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

TO-220FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

30 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze