Vishay N-Channel MOSFET, 7.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP IRFI520GPBF

Nr. stoc RS: 815-2711Producator: VishayCod de producator: IRFI520GPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.63mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

4.83mm

Transistor Material

Si

Inaltime

16.12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 13,90

€ 1,39 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 16,82

€ 1,682 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 7.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP IRFI520GPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 13,90

€ 1,39 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 16,82

€ 1,682 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 7.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220FP IRFI520GPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 1,39€ 13,90
100 - 240€ 1,30€ 13,00
250 - 490€ 1,16€ 11,60
500 - 990€ 1,08€ 10,80
1000+€ 0,99€ 9,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Tip pachet

TO-220FP

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

270 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.63mm

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

4.83mm

Transistor Material

Si

Inaltime

16.12mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe