Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, -0.4 A, 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9210PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
-0.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Tip pachet
HVMDIP
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.9nC
Maximum Power Dissipation Pd
1W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Latime
5 mm
Lungime
10.79mm
Inaltime
8.38mm
Standards/Approvals
RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
Philippines
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 24,00
€ 0,24 Each (In a Tube of 100) (fara TVA)
€ 29,04
€ 0,29 Each (In a Tube of 100) (cu TVA)
100
€ 24,00
€ 0,24 Each (In a Tube of 100) (fara TVA)
€ 29,04
€ 0,29 Each (In a Tube of 100) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
100
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
-0.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
200V
Tip pachet
HVMDIP
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
3Ω
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
8.9nC
Maximum Power Dissipation Pd
1W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Latime
5 mm
Lungime
10.79mm
Inaltime
8.38mm
Standards/Approvals
RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
Philippines
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse