Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF

Nr. stoc RS: 541-0733Producator: VishayCod de producator: IRFD9014PBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Latime

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

3.37mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-channel MOSFET,IRFD9014 1.1A 60V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-channel MOSFET,IRFD9014 1.1A 60V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Latime

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

3.37mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
P-channel MOSFET,IRFD9014 1.1A 60V
P.O.A.Buc. (fara TVA)