P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD9010PBF

Nr. stoc RS: 903-4702Producator: VishayCod de producator: IRFD9010PBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Transistor Configuration

Single

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.9mm

Number of Elements per Chip

1

Latime

3.8mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

3.8mm

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
60V 1.100A HEXDIP
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Informatii despre stoc temporar indisponibile

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD9010PBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD9010PBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
60V 1.100A HEXDIP
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Transistor Configuration

Single

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

6.9mm

Number of Elements per Chip

1

Latime

3.8mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

3.8mm

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
60V 1.100A HEXDIP
P.O.A.Buc. (fara TVA)