Vishay N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V, 4-Pin HVMDIP IRFD210PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
HVMDIP
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Latime
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
3.37mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 0,96
€ 0,96 Buc. (fara TVA)
€ 1,16
€ 1,16 Buc. (cu TVA)
1
€ 0,96
€ 0,96 Buc. (fara TVA)
€ 1,16
€ 1,16 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 0,96 |
| 10 - 49 | € 0,88 |
| 50 - 99 | € 0,77 |
| 100 - 249 | € 0,74 |
| 250+ | € 0,66 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
HVMDIP
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Latime
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
3.37mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse