Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 50 V, 4-Pin HVMDIP IRFD020PBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
2.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
50V
Tip pachet
HVMDIP
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.1Ω
Maximum Power Dissipation Pd
1W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
24nC
Forward Voltage Vf
1.4V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Latime
0.425 in
Inaltime
0.330in
Lungime
0.29in
Standards/Approvals
RoHS Directive 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
Philippines
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 65,00
€ 0,65 Each (In a Tube of 100) (fara TVA)
€ 78,65
€ 0,786 Each (In a Tube of 100) (cu TVA)
100
€ 65,00
€ 0,65 Each (In a Tube of 100) (fara TVA)
€ 78,65
€ 0,786 Each (In a Tube of 100) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
100
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
2.4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
50V
Tip pachet
HVMDIP
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.1Ω
Maximum Power Dissipation Pd
1W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
24nC
Forward Voltage Vf
1.4V
Temperatura maxima de lucru
150°C
Transistor Configuration
Single
Latime
0.425 in
Inaltime
0.330in
Lungime
0.29in
Standards/Approvals
RoHS Directive 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
Philippines
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse