Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF

Nr. stoc RS: 541-1146PProducator: VishayCod de producator: IRFBG30PBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

80 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 18,80

€ 1,88 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 22,75

€ 2,27 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 1
10€ 18,80
11€ 20,68
12€ 22,56
13€ 24,44
14€ 26,32
15€ 28,20
16€ 30,08
17€ 31,96
18€ 33,84
19€ 35,72
20€ 37,60
21€ 39,48
22€ 41,36
23€ 43,24
24€ 45,12

€ 18,80

€ 1,88 Each (Supplied in a Tube) (fara TVA)

€ 22,75

€ 2,27 Each (Supplied in a Tube) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Tub)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 1
10€ 18,80
11€ 20,68
12€ 22,56
13€ 24,44
14€ 26,32
15€ 28,20
16€ 30,08
17€ 31,96
18€ 33,84
19€ 35,72
20€ 37,60
21€ 39,48
22€ 41,36
23€ 43,24
24€ 45,12

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
10 - 49€ 1,88
50 - 99€ 1,79
100 - 249€ 1,67
250+€ 1,53

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

80 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe