Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF

Nr. stoc RS: 541-1146Producator: VishayCod de producator: IRFBG30PBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

80 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2,54

€ 2,54 Buc. (fara TVA)

€ 3,02

€ 3,02 Buc. (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 2,54
2€ 5,08
3€ 7,62
4€ 10,16
5€ 12,70
6€ 15,24
7€ 17,78
8€ 20,32
9€ 22,86
10€ 22,10
11€ 24,31
12€ 26,52
13€ 28,73
14€ 30,94
15€ 33,15

€ 2,54

€ 2,54 Buc. (fara TVA)

€ 3,02

€ 3,02 Buc. (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 2,54
2€ 5,08
3€ 7,62
4€ 10,16
5€ 12,70
6€ 15,24
7€ 17,78
8€ 20,32
9€ 22,86
10€ 22,10
11€ 24,31
12€ 26,52
13€ 28,73
14€ 30,94
15€ 33,15

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 2,54
10 - 49€ 2,21
50 - 99€ 2,08
100 - 249€ 1,94
250+€ 1,79

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Maximum Drain Source Voltage

1000 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

80 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

9.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000V
N-channel MOSFET,IRFBG30 3.1A 1000VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)