Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF

Nr. stoc RS: 541-1124Producator: VishayCod de producator: IRFBE30PBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

78 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Inaltime

9.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2,30

€ 2,30 Buc. (fara TVA)

€ 2,74

€ 2,74 Buc. (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 2,30
2€ 4,60
3€ 6,90
4€ 9,20
5€ 11,50
6€ 13,80
7€ 16,10
8€ 18,40
9€ 20,70
10€ 22,10
11€ 24,31
12€ 26,52
13€ 28,73
14€ 30,94
15€ 33,15

€ 2,30

€ 2,30 Buc. (fara TVA)

€ 2,74

€ 2,74 Buc. (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 2,30
2€ 4,60
3€ 6,90
4€ 9,20
5€ 11,50
6€ 13,80
7€ 16,10
8€ 18,40
9€ 20,70
10€ 22,10
11€ 24,31
12€ 26,52
13€ 28,73
14€ 30,94
15€ 33,15

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
1 - 9€ 2,30
10 - 49€ 2,21
50 - 99€ 2,09
100 - 249€ 1,96
250+€ 1,85

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Tip pachet

TO-220AB

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

78 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.41mm

Inaltime

9.01mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)