N-Channel MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBC40LCPBF

Nr. stoc RS: 541-0159Producator: VishayCod de producator: IRFBC40LCPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.41mm

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

9.01mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBC40LCPBF
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRFBC40LCPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.2 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.2 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.41mm

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

9.01mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe