Vishay N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF

Nr. stoc RS: 541-1938Producator: VishayCod de producator: IRFB9N65APBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.5 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

930 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

9.01mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650V
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 8.5 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB IRFB9N65APBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650V
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8.5 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Tip pachet

TO-220AB

Montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

930 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

167 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Lungime

10.41mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Latime

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Inaltime

9.01mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650V
N-channel MOSFET,IRFB9N65A 8.5A 650VProducator: Vishay
P.O.A.Buc. (fara TVA)