Vishay P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IRF9530SPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Latime
9.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 102,50
€ 2,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 124,02
€ 2,48 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 102,50
€ 2,05 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 124,02
€ 2,48 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,05 | € 10,25 |
| 125 - 245 | € 1,91 | € 9,55 |
| 250 - 495 | € 1,77 | € 8,85 |
| 500+ | € 1,40 | € 7,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Latime
9.02mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
4.83mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse