Vishay N-Channel MOSFET, 2.5 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB IRF820APBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.41mm
Inaltime
9.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1,47
€ 1,47 Buc. (fara TVA)
€ 1,78
€ 1,78 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 1,47
€ 1,47 Buc. (fara TVA)
€ 1,78
€ 1,78 Buc. (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,47 |
| 10 - 49 | € 1,34 |
| 50 - 99 | € 1,25 |
| 100 - 249 | € 1,12 |
| 250+ | € 1,05 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.41mm
Inaltime
9.01mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse