Vishay N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin D2PAK IRF740SPBF

Nr. stoc RS: 542-9406PProducator: VishayCod de producator: IRF740SPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.83mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 23,10

€ 2,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 27,95

€ 2,80 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin D2PAK IRF740SPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 23,10

€ 2,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 27,95

€ 2,80 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin D2PAK IRF740SPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
10 - 49€ 2,31
50 - 99€ 2,16
100 - 249€ 2,00
250+€ 1,60

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

400 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

550 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

4.83mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe