Vishay N-Channel MOSFET, 14 A, 250 V, 3-Pin D2PAK IRF644SPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
68 nC @ 10 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.83mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 32,30
€ 3,23 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 39,08
€ 3,91 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 32,30
€ 3,23 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 39,08
€ 3,91 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 10 - 49 | € 3,23 |
| 50 - 99 | € 3,02 |
| 100 - 249 | € 2,71 |
| 250+ | € 2,31 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
68 nC @ 10 V
Latime
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.83mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse