Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Nr. stoc RS: 541-2464PProducator: VishayCod de producator: IRF640SPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

4.83mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 39,00

€ 3,90 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 47,19

€ 4,72 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 39,00

€ 3,90 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 47,19

€ 4,72 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
10 - 49€ 3,90
50 - 99€ 3,66
100 - 249€ 48,00
250+€ 47,78

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.67mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

4.83mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe