Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 14 A, 100 V, 3-Pin TO-263 IRF530SPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
14A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-263
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.16Ω
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
26nC
Forward Voltage Vf
2.5V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Transistor Configuration
Single
Latime
10.67 mm
Inaltime
4.83mm
Lungime
9.65mm
Standards/Approvals
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 43,00
€ 0,86 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 52,03
€ 1,041 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 43,00
€ 0,86 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 52,03
€ 1,041 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,86 | € 43,00 |
| 100 - 200 | € 0,81 | € 40,50 |
| 250+ | € 0,76 | € 38,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayProduct Type
Power MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
14A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Tip pachet
TO-263
Montare
Surface
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.16Ω
Maximum Power Dissipation Pd
88W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
±20 V
Temperatura minima de lucru
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
26nC
Forward Voltage Vf
2.5V
Temperatura maxima de lucru
175°C
Transistor Configuration
Single
Latime
10.67 mm
Inaltime
4.83mm
Lungime
9.65mm
Standards/Approvals
IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
Number of Elements per Chip
1
Automotive Standard
No
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse