Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40016EM_GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
163 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
11.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.344,00
€ 1,68 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 1.599,36
€ 1,999 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
€ 1.344,00
€ 1,68 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 1.599,36
€ 1,999 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
163 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
11.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse