Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 7-Pin D2PAK SQM40016EM_GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
163 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
11.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.288,00
€ 1,61 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 1.558,48
€ 1,948 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
800
€ 1.288,00
€ 1,61 Buc. (Pe o rola de 800) (fara TVA)
€ 1.558,48
€ 1,948 Buc. (Pe o rola de 800) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
800
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
4.83mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
163 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
11.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
Taiwan, Province Of China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse