Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.650,00
€ 0,55 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1.963,50
€ 0,654 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 1.650,00
€ 0,55 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1.963,50
€ 0,654 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse