Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Latime
5mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inaltime
1.07mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.890,00
€ 0,63 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.286,90
€ 0,762 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 1.890,00
€ 0,63 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.286,90
€ 0,762 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Latime
5mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inaltime
1.07mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse