Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V, 6-Pin SC-70-6L SQA401EEJ-T1_GE3

Nr. stoc RS: 178-3709Producator: Vishay SiliconixCod de producator: SQA401EEJ-T1_GE3
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.68 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

TrenchFET

Tip pachet

SC-70-6L

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

13.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.2 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 600,00

€ 0,20 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 726,00

€ 0,242 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V, 6-Pin SC-70-6L SQA401EEJ-T1_GE3

€ 600,00

€ 0,20 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 726,00

€ 0,242 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V, 6-Pin SC-70-6L SQA401EEJ-T1_GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.68 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Serie

TrenchFET

Tip pachet

SC-70-6L

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Maximum Power Dissipation

13.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Latime

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.2 nC @ 4.5 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

1mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Automotive Standard

AEC-Q101

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe