Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Inaltime
1.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 38,00
€ 0,38 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 45,98
€ 0,46 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 38,00
€ 0,38 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 45,98
€ 0,46 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 475 | € 0,38 | € 9,50 |
| 500 - 975 | € 0,32 | € 8,00 |
| 1000+ | € 0,27 | € 6,75 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.46V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Inaltime
1.02mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse