N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3

Nr. stoc RS: 178-3962Producator: Vishay SiliconixCod de producator: SiS110DN-T1-GE3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.2 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

TrenchFET

Tip pachet

PowerPAK 1212-8

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

24 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.5 nC @ 10 V

Inaltime

1.07mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 5,75

€ 0,23 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 6,84

€ 0,274 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3
Selectati tipul de ambalaj

€ 5,75

€ 0,23 Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)

€ 6,84

€ 0,274 Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay Siliconix SiS110DN-T1-GE3
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14.2 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

TrenchFET

Tip pachet

PowerPAK 1212-8

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

70 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

24 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

3.15mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.5 nC @ 10 V

Inaltime

1.07mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe