Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA10BDP-T1-GE3

Nr. stoc RS: 178-3688Producator: Vishay SiliconixCod de producator: SiRA10BDP-T1-GE3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

TrenchFET

Tip pachet

PowerPAK SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Power Dissipation

43 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

5mm

Lungime

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24.1 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Inaltime

1.07mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA10BDP-T1-GE3

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA10BDP-T1-GE3

Informatii despre stoc temporar indisponibile

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

TrenchFET

Tip pachet

PowerPAK SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.4V

Maximum Power Dissipation

43 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

5mm

Lungime

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

24.1 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Inaltime

1.07mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe