Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8DC
Serie
TrenchFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
900 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.07mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3.600,00
€ 1,20 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 4.356,00
€ 1,452 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 3.600,00
€ 1,20 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 4.356,00
€ 1,452 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8DC
Serie
TrenchFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
900 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Inaltime
1.07mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse