Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Si7190ADP-T1-RE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.610,00
€ 0,87 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.158,10
€ 1,053 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 2.610,00
€ 0,87 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 3.158,10
€ 1,053 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.07mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse