Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.02mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 19,50
€ 0,39 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 23,60
€ 0,472 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 19,50
€ 0,39 Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 23,60
€ 0,472 Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,39 | € 19,50 |
| 100 - 450 | € 0,33 | € 16,50 |
| 500 - 950 | € 0,29 | € 14,50 |
| 1000+ | € 0,25 | € 12,50 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.02mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse