Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 3.6 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Si2319DDS-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
3.04mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Inaltime
1.02mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 480,00
€ 0,16 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 580,80
€ 0,194 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 480,00
€ 0,16 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 580,80
€ 0,194 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
3.04mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.4mm
Inaltime
1.02mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse