N-Channel MOSFET, 5.5 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB Vishay Siliconix IRF730APBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.52mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Latime
4.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.85mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
50
P.O.A.
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.52mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Latime
4.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Inaltime
15.85mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse