Toshiba TK N-Channel MOSFET, 9 A, 900 V, 3-Pin TO-3PN TK9J90E
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-3PN
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
15.5mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Inaltime
20mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 82,25
€ 3,29 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 97,88
€ 3,915 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 82,25
€ 3,29 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 97,88
€ 3,915 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-3PN
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
15.5mm
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Inaltime
20mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse