Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK8P60W5,RVQ(S

Nr. stoc RS: 133-2804Producator: ToshibaCod de producator: TK8P60W5,RVQ(S
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

DTMOSIV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.1mm

Lungime

6.6mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

2.3mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 8,70

€ 0,87 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 10,53

€ 1,053 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK8P60W5,RVQ(S

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 8,70
20€ 17,40
30€ 26,10
40€ 34,80
50€ 43,50
60€ 52,20
70€ 60,90
80€ 69,60
90€ 78,30
100€ 87,00
110€ 95,70
120€ 104,40
130€ 113,10
140€ 121,80
150€ 130,50

€ 8,70

€ 0,87 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 10,53

€ 1,053 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK TK8P60W5,RVQ(S

Informatii despre stoc temporar indisponibile

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 8,70
20€ 17,40
30€ 26,10
40€ 34,80
50€ 43,50
60€ 52,20
70€ 60,90
80€ 69,60
90€ 78,30
100€ 87,00
110€ 95,70
120€ 104,40
130€ 113,10
140€ 121,80
150€ 130,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

DTMOSIV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

560 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

80 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.1mm

Lungime

6.6mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

2.3mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe