Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK72E08N1,S1X(S

Nr. stoc RS: 125-0591Producator: ToshibaCod de producator: TK72E08N1,S1X(S
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

U-MOSVIII-H

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

192 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.45mm

Lungime

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

81 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

15.1mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 7,25

€ 1,45 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 8,77

€ 1,754 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK72E08N1,S1X(S

€ 7,25

€ 1,45 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 8,77

€ 1,754 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK72E08N1,S1X(S

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 20€ 1,45€ 7,25
25 - 45€ 0,86€ 4,30
50+€ 0,78€ 3,90

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

157 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Serie

U-MOSVIII-H

Tip pachet

TO-220

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

4.3 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

192 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4.45mm

Lungime

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

81 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

15.1mm

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe