N-Channel MOSFET, 5.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK6P65W,RQ(S

Nr. stoc RS: 133-2800Producator: ToshibaCod de producator: TK6P65W,RQ(S
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

DTMOSIV

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.05 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Inaltime

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 6,80

€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,09

€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 5.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK6P65W,RQ(S

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 6,80
20€ 13,60
30€ 20,40
40€ 27,20
50€ 30,50
60€ 36,60
70€ 42,70
80€ 48,80
90€ 54,90
100€ 59,00
110€ 64,90
120€ 70,80
130€ 76,70
140€ 82,60
150€ 88,50

€ 6,80

€ 0,68 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 8,09

€ 0,809 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 5.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK6P65W,RQ(S
Informatii indisponibile despre stoc

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 6,80
20€ 13,60
30€ 20,40
40€ 27,20
50€ 30,50
60€ 36,60
70€ 42,70
80€ 48,80
90€ 54,90
100€ 59,00
110€ 64,90
120€ 70,80
130€ 76,70
140€ 82,60
150€ 88,50

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 40€ 0,68€ 6,80
50 - 90€ 0,61€ 6,10
100 - 490€ 0,59€ 5,90
500 - 990€ 0,56€ 5,60
1000+€ 0,54€ 5,40

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

DTMOSIV

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

1.05 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Lungime

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

11 nC @ 10 V

Inaltime

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Tara de origine

Japan

Detalii produs

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe