Toshiba TK N-Channel MOSFET, 62 A, 600 V, 3-Pin TO-247 TK62N60W,S1VF(S
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.02mm
Inaltime
20.95mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii despre stoc temporar indisponibile
€ 339,90
€ 11,33 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 411,28
€ 13,709 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
30
€ 339,90
€ 11,33 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)
€ 411,28
€ 13,709 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
30
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 11,33 | € 339,90 |
| 150 - 270 | € 10,10 | € 303,00 |
| 300+ | € 9,40 | € 282,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-247
Serie
TK
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
5.02mm
Inaltime
20.95mm
Tara de origine
China
Detalii produs
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse