Toshiba N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin TO-220SIS TK5A50D,S5Q(J
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220SIS
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
35 W @ 25 °C
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
-1.7V
Inaltime
15mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,80
€ 0,44 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 10,65
€ 0,532 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
20
€ 8,80
€ 0,44 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 10,65
€ 0,532 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,44 | € 8,80 |
| 60+ | € 0,39 | € 7,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220SIS
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
35 W @ 25 °C
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
4.5mm
Lungime
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Forward Diode Voltage
-1.7V
Inaltime
15mm
Tara de origine
Japan
Detalii produs
MOSFET Transistors, Toshiba
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse